时间：2025/6/22 12:36:12
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GA1206Y224MBJBR31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，确保其具有较低的导通电阻和较高的效率。适用于电源管理、DC-DC转换器以及各种需要高效能开关操作的场景。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型，能够支持高频率和大电流的工作条件。其封装形式紧凑，适合现代电子设备对小型化和高密度集成的需求。
型号：GA1206Y224MBJBR31G
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
GA1206Y224MBJBR31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能，能够适应高频应用场合。
3. 强大的电流承载能力，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
4. 高耐压等级，保证了器件在恶劣环境下的可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围，满足工业级及汽车级应用需求。
6. 封装形式坚固耐用，便于散热和安装。
该元器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池保护电路中的高侧或低侧开关。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换功能。
GA1206Y224MBJBR28G
IRFZ44N
STP120N06L
