GA1206Y224JXBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用而设计。该芯片具有极低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及负载开关等应用场景。
这款 MOSFET 采用先进的半导体制造工艺,确保了高效率和高可靠性,同时其封装形式优化了散热性能和电气连接特性。
型号:GA1206Y224JXBBR31G
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):120V
Rds(on)(导通电阻):2.4mΩ
Id(连续漏极电流):60A
Vgs(th)(栅极阈值电压):2.5V
Qg(栅极电荷):35nC
fsw(最大工作频率):500kHz
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率传输并减少了功耗。
2. 快速的开关速度降低了开关损耗,从而提升了系统效率。
3. 高额定电压 (Vds) 和大电流承载能力 (Id),使其适用于多种高功率应用。
4. 小巧且优化的封装设计增强了热性能,便于集成到紧凑型电路中。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 到 +175℃) 保证了在极端环境下的稳定性与可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,适合现代电子产品的生产需求。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主功率级开关元件。
2. 用于高效 DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压拓扑。
3. 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 的电机驱动控制器。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 大功率 LED 驱动器和太阳能逆变器中的功率开关组件。
6. 各类电池管理系统 (BMS) 中的关键功率切换器件。
IRFZ44N
FDP5800
AON7924
STP120NF06L