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GA1206Y224JXBBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 19:28:03 查看 阅读:6

GA1206Y224JXBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用而设计。该芯片具有极低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及负载开关等应用场景。
  这款 MOSFET 采用先进的半导体制造工艺,确保了高效率和高可靠性,同时其封装形式优化了散热性能和电气连接特性。

参数

型号:GA1206Y224JXBBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源电压):120V
  Rds(on)(导通电阻):2.4mΩ
  Id(连续漏极电流):60A
  Vgs(th)(栅极阈值电压):2.5V
  Qg(栅极电荷):35nC
  fsw(最大工作频率):500kHz
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率传输并减少了功耗。
  2. 快速的开关速度降低了开关损耗,从而提升了系统效率。
  3. 高额定电压 (Vds) 和大电流承载能力 (Id),使其适用于多种高功率应用。
  4. 小巧且优化的封装设计增强了热性能,便于集成到紧凑型电路中。
  5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 到 +175℃) 保证了在极端环境下的稳定性与可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,适合现代电子产品的生产需求。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 中的主功率级开关元件。
  2. 用于高效 DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压拓扑。
  3. 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 的电机驱动控制器。
  4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  5. 大功率 LED 驱动器和太阳能逆变器中的功率开关组件。
  6. 各类电池管理系统 (BMS) 中的关键功率切换器件。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  AON7924
  STP120NF06L

GA1206Y224JXBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.22 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-