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GA1206Y223KBABT31G 发布时间 时间:2025/5/29 19:25:44 查看 阅读:7

GA1206Y223KBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高功率密度的应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理场景。
  这款芯片特别适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场合。其封装形式经过优化,能够提供良好的散热性能,同时保持紧凑的设计。

参数

类型:MOSFET
  工作电压(Vds):120V
  连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
  栅极电荷(Qg):85nC
  总功耗:45W
  封装形式:TO-247-3L
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1206Y223KBABT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (2.2mΩ),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源和逆变器等应用。
  3. 高击穿电压 (120V),确保在高压环境下的稳定运行。
  4. 内置反向恢复二极管,可有效减少开关过程中的能量损失。
  5. 封装形式采用 TO-247-3L,具备出色的散热能力和机械强度。
  6. 支持宽范围的工作温度 (-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具及家用电器的电机驱动。
  3. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
  4. 工业自动化设备中的负载开关和功率调节。
  5. 汽车电子系统,例如电池管理系统 (BMS) 和电动助力转向 (EPS)。

替代型号

IRFP260N
  FDP18N120
  STP120NF10
  IXFN120N10T2

GA1206Y223KBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-