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GA1206Y223JXBBT31G 发布时间 时间:2025/5/21 20:24:39 查看 阅读:3

GA1206Y223JXBBT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,专为射频应用设计。该芯片能够在高频环境下提供高增益和低噪声性能,广泛应用于无线通信、雷达系统和卫星通信等领域。其内部结构采用先进的半导体工艺制造,具备出色的线性度和稳定性,同时支持宽频带操作。

参数

型号:GA1206Y223JXBBT31G
  类型:射频功率放大器
  工作频率范围:1.8 GHz - 3.5 GHz
  增益:25 dB
  输出功率(1 dB压缩点):35 dBm
  效率:45%
  电源电压:5 V
  静态电流:250 mA
  封装形式:QFN-20
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1206Y223JXBBT31G 的主要特性包括高增益、高线性度以及低失真率,这使得它非常适合用于要求严格的射频信号处理场景。
  该芯片内置了匹配网络,能够减少外部元件需求并简化电路设计。此外,它的低噪声系数使其在接收端应用中表现出色。
  该芯片还具有过热保护功能,当检测到温度过高时会自动降低输出功率以防止损坏。
  由于采用了先进的CMOS技术,这款功率放大器芯片在保持高性能的同时还能有效降低功耗,从而延长设备的使用寿命。
  其小型化封装也便于在紧凑型设备中进行集成。

应用

GA1206Y223JXBBT31G 广泛应用于多种射频通信系统中,包括但不限于以下领域:
  1. 无线基站中的信号放大
  2. 雷达系统的发射模块
  3. 卫星通信设备
  4. 工业、科学和医疗(ISM)频段的应用
  5. 物联网(IoT)设备中的远距离数据传输
  6. 车载通信系统
  凭借其高效能和可靠性,这款芯片成为众多射频工程师的理想选择。

替代型号

MGA257022, PA35Q18F2, RFPA3269

GA1206Y223JXBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-