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GA1206Y223JBCBT31G 发布时间 时间:2025/6/12 18:24:04 查看 阅读:5

GA1206Y223JBCBT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信系统中。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有高增益、高效率和良好的线性度特点,适用于 GSM、CDMA 和 LTE 等多种通信标准的基站设备。
  该器件在设计上集成了偏置电路和匹配网络,从而减少了外部元件的数量,并简化了系统设计。此外,其封装形式紧凑,适合于对空间要求较高的应用环境。

参数

型号:GA1206Y223JBCBT31G
  工作频率范围:800 MHz 至 2700 MHz
  输出功率:40 dBm(典型值)
  增益:15 dB(典型值)
  电源电压:28 V
  静态电流:300 mA(典型值)
  效率:55%(典型值)
  封装形式:QFN-16

特性

GA1206Y223JBCBT31G 的主要特性包括:
  1. 宽频带支持,能够覆盖多个通信频段。
  2. 高输出功率和效率,满足现代通信设备的需求。
  3. 内置匹配网络和偏置电路,简化了外围电路设计。
  4. 良好的线性度和稳定性,确保信号质量。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型系统中。
  6. 提供出色的可靠性和耐热性能,适应苛刻的工作条件。
  这些特性使得 GA1206Y223JBCBT31G 成为基站功率放大器模块的理想选择。

应用

GA1206Y223JBCBT31G 主要用于以下领域:
  1. 无线通信基站的射频功率放大器模块。
  2. GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 系统中的功率放大器。
  3. 公共安全通信系统。
  4. 微波链路和点对点无线电设备。
  5. 测试与测量设备中的功率放大单元。
  由于其卓越的性能和可靠性,这款芯片在各种无线通信基础设施中得到了广泛应用。

替代型号

GA1206Y224JBCBT31G
  GA1207Y223JBCBT31G
  GA1206Y222JBCBT31G

GA1206Y223JBCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-