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GA1206Y222KBBBT31G 发布时间 时间:2025/5/27 16:57:31 查看 阅读:9

GA1206Y222KBBBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)生产,同时具备出色的热性能表现。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  最大连续漏电流(Id):6.8A
  导通电阻(Rds(on)):0.14Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗:1.9W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

GA1206Y222KBBBT31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗,适用于高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 小型化封装设计,便于高密度电路板布局。
  5. 支持表面贴装,适应现代化自动化生产需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅材料使用。

应用

该功率MOSFET广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率级开关。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载切换控制。
  4. 电机驱动电路中的逆变桥臂元件。
  5. 各类保护电路,如过流保护和短路保护。
  6. 工业自动化控制设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N, FDP5570, AO3400

GA1206Y222KBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-