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GA1206Y222JXJBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:18:49 查看 阅读:5

GA1206Y222JXJBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频应用中提供卓越的效率和稳定性。
  该器件具有强大的过流保护功能和热关断机制,确保在极端条件下的可靠性。同时,其封装设计优化了散热性能,适合需要高功率密度的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关频率:500kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,减少磁性元件体积。
  3. 内置过温保护和过流限制功能,增强系统的安全性和稳定性。
  4. 高雪崩能量能力,提升在瞬态条件下的鲁棒性。
  5. 小型化封装设计,有助于节省PCB空间并改善散热性能。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  STP30NF06L

GA1206Y222JXJBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-