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GA1206Y221JBLBR31G 发布时间 时间:2025/5/28 17:47:18 查看 阅读:15

GA1206Y221JBLBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,属于沟道增强型场效应晶体管系列。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景中,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升电路效率并降低功耗。
  该型号采用了先进的制造工艺,确保了其在高频工作条件下的稳定性和可靠性。此外,其封装设计优化了散热性能,适合高功率密度的应用场合。

参数

型号:GA1206Y221JBLBR31G
  类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  极性:N-Channel
  最大漏源电压(Vdss):120V
  最大栅源电压(Vgss):±20V
  连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):450W
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1206Y221JBLBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能输出。
  5. 紧凑且高效的封装设计,便于散热管理和安装。
  6. 具备静电放电保护功能,提高了产品的可靠性。
  这些特点使得 GA1206Y221JBLBR31G 成为许多高功率应用场景的理想选择,特别是在需要高效能和高可靠性的系统中。

应用

GA1206Y221JBLBR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS) 中的主开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率控制组件。
  3. 工业自动化设备中的负载切换模块。
  4. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器及逆变器。
  5. 太阳能逆变器中的功率调节部分。
  6. 各种高功率密度设计中的关键功率处理单元。
  由于其卓越的性能,该器件特别适用于需要高效率、高可靠性和快速动态响应的场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP55N12
  STP120NF12
  IXFN120N10T2

GA1206Y221JBLBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-