GA1206Y182MXXBT31G 是一款高性能的存储芯片,通常用于嵌入式系统、消费类电子产品以及工业控制领域。该芯片属于 NAND Flash 存储器系列,具有大容量、高速读写性能和低功耗等特点。它支持多种接口协议,便于与各种主控设备进行数据交互。
该型号中的 GA1206 表示其具体的工艺设计代号,Y182 为晶圆批次编号,MXXB 指明了封装形式(如 BGA 封装),T31G 则表明其存储容量为 31GB。
类型:NAND Flash
容量:31GB
接口:Toggle DDR 或 ONFI 标准
工作电压:1.8V/3.3V
封装形式:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
页大小:16KB
块大小:2MB
擦写次数:3000次(典型值)
数据保持时间:10年(在 25°C 下)
GA1206Y182MXXBT31G 提供了高可靠性和耐用性,特别适合需要频繁写入和读取的应用场景。
1. 高速传输:通过 Toggle DDR 或 ONFI 接口实现高达 400MT/s 的数据传输速率。
2. 低功耗设计:优化的电路结构使其在待机和工作模式下均能有效降低功耗。
3. ECC 支持:内置错误校正码功能,确保数据的完整性和准确性。
4. 多种温度等级:标准商业级和工业级可选,满足不同环境下的使用需求。
5. 安全特性:提供数据保护机制,防止未经授权的访问或篡改。
这些特性使得该芯片成为众多电子设备的理想选择。
GA1206Y182MXXBT31G 广泛应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:如路由器、交换机和其他网络设备。
2. 消费类电子产品:包括智能手机、平板电脑和数码相机等。
3. 工业控制:例如 PLC 和 HMI 系统。
4. 车载电子:支持导航系统和信息娱乐系统的存储需求。
5. 数据记录设备:用于监控摄像头和数据记录仪等需要持续存储的应用。
凭借其大容量和高性能,这款芯片能够适应多种复杂的工作场景。
GA1206Y182MXXBT62G, GA1206Y182MXXBT16G