您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206Y182MBABT31G

GA1206Y182MBABT31G 发布时间 时间:2025/6/9 13:14:09 查看 阅读:23

GA1206Y182MBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,适用于对效率和可靠性要求较高的电路设计。
  这款功率MOSFET属于N沟道增强型,通过优化的结构设计,在降低功耗的同时提升了整体性能表现,使其成为多种工业及消费类电子产品的理想选择。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ (在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):75nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y182MBABT31G 的主要特点包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关性能,适合高频操作环境。
  4. 良好的热稳定性和散热性能,确保长时间可靠运行。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣工况。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

该芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器,用于升降压电路。
  3. 电机驱动器,控制直流无刷电机或步进电机。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电动车和混合动力汽车的动力管理系统。
  6. 其他需要高效功率管理的场景。

替代型号

IRFP2907ZPBF, FDP5600L, CSD18532KCS

GA1206Y182MBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-