时间：2025/6/12 18:29:23
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GA1206Y182KBXBT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 类型。该型号通常用于需要大容量数据存储的应用场景，例如固态硬盘 (SSD)、嵌入式系统和消费类电子设备。
此芯片采用先进的工艺技术制造，具备高密度存储能力和较低的功耗特性。其封装形式适合在紧凑型设计中使用，同时支持高速数据传输。
容量：128GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
通道数：8个 CE（Chip Enable）
数据传输速率：400MT/s
擦写寿命：3000 次（典型值）
封装形式：BGA（球栅阵列封装）
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
存储单元结构：MLC（多层单元）
GA1206Y182KBXBT31G 的主要特性包括：
1. 高密度存储能力，能够以较小的物理尺寸实现大容量的数据存储。
2. 支持 Toggle Mode 2.0 接口协议，确保高效的读写性能。
3. MLC 存储单元架构，在保证容量的同时提供良好的成本效益。
4. 具备低功耗特性，适用于对能效要求较高的应用环境。
5. 稳定的工作温度范围，使其能够在多种环境下可靠运行。
6. 较长的擦写寿命，适合频繁数据操作的应用场景。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘 (SSD)，作为核心存储介质。
2. 嵌入式设备，如工业控制、车载系统和物联网终端。
3. 消费类电子产品，例如智能手机、平板电脑和数码相机。
4. 数据记录设备，用于长时间存储大量信息。
5. 企业级存储解决方案，为服务器和数据中心提供可靠的存储支持。
GA1206Y181KBXBT31G
GA1206Y183KBXBT31G
GA1206Y184KBXBT31G
