GA1206Y154MXJBR31G 是一款高性能的工业级存储芯片,属于 NAND Flash 类型。它采用先进的制程工艺,具有高容量、低功耗和高速读写的特点,广泛应用于嵌入式系统、数据存储设备以及消费类电子产品中。
该芯片具备多比特单元(MLC)技术,能够在单个芯片内提供大容量存储能力,同时支持多种接口标准,确保与各类主控芯片兼容。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
引脚数:169
数据传输速率:最高可达 400 MB/s
擦写寿命:3000 次(MLC)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GA1206Y154MXJBR31G 具备以下主要特性:
1. 高性能:采用 Toggle Mode 2.0 接口协议,实现更快的数据传输速度。
2. 大容量:通过 MLC 技术,在单一芯片上提供高达 128GB 的存储空间。
3. 可靠性:内置 ECC(错误校正码)引擎,有效提升数据完整性与可靠性。
4. 节能设计:优化的电路架构使其在运行过程中保持较低的功耗水平。
5. 环境适应性强:工作温度范围广,能够满足各种苛刻环境下的使用需求。
6. 安全性:支持数据加密功能,保护用户信息免受未授权访问。
该芯片适用于多种领域:
1. 嵌入式系统:如工业控制、医疗设备和车载导航等。
2. 存储设备:包括 SSD 固态硬盘、USB 闪存盘及记忆卡。
3. 消费电子:例如智能手机、平板电脑和其他便携式多媒体播放器。
4. 物联网(IoT):为智能终端提供可靠的数据存储解决方案。
GA1206Y154MXJBR21G
GA1206Y154MXJCR31G