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GA1206Y154MXJBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 23:32:24 查看 阅读:14

GA1206Y154MXJBR31G 是一款高性能的工业级存储芯片,属于 NAND Flash 类型。它采用先进的制程工艺,具有高容量、低功耗和高速读写的特点,广泛应用于嵌入式系统、数据存储设备以及消费类电子产品中。
  该芯片具备多比特单元(MLC)技术,能够在单个芯片内提供大容量存储能力,同时支持多种接口标准,确保与各类主控芯片兼容。

参数

类型:NAND Flash
  容量:128GB
  接口:Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA
  引脚数:169
  数据传输速率:最高可达 400 MB/s
  擦写寿命:3000 次(MLC)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1206Y154MXJBR31G 具备以下主要特性:
  1. 高性能:采用 Toggle Mode 2.0 接口协议,实现更快的数据传输速度。
  2. 大容量:通过 MLC 技术,在单一芯片上提供高达 128GB 的存储空间。
  3. 可靠性:内置 ECC(错误校正码)引擎,有效提升数据完整性与可靠性。
  4. 节能设计:优化的电路架构使其在运行过程中保持较低的功耗水平。
  5. 环境适应性强:工作温度范围广,能够满足各种苛刻环境下的使用需求。
  6. 安全性:支持数据加密功能,保护用户信息免受未授权访问。

应用

该芯片适用于多种领域:
  1. 嵌入式系统:如工业控制、医疗设备和车载导航等。
  2. 存储设备:包括 SSD 固态硬盘、USB 闪存盘及记忆卡。
  3. 消费电子:例如智能手机、平板电脑和其他便携式多媒体播放器。
  4. 物联网(IoT):为智能终端提供可靠的数据存储解决方案。

替代型号

GA1206Y154MXJBR21G
  GA1206Y154MXJCR31G

GA1206Y154MXJBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.15 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-