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GA1206Y153MBXBT31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:18:37 查看 阅读:9

GA1206Y153MBXBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  这款功率MOSFET为N沟道增强型器件,通过优化设计以减少开关损耗并提升散热性能,使其非常适合在高频应用中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):150V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗(Ptot):250W
  工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y153MBXBT31G具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有效降低传导损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频应用场景。
  3. 强大的散热性能,确保在高负载条件下的稳定性。
  4. 内置ESD保护电路,提高了器件的抗静电能力。
  5. 高可靠性和长寿命设计,适合工业级及汽车级应用环境。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

该芯片广泛应用于各种需要高效功率转换的领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 电机驱动控制,适用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机。
  3. DC-DC转换器,在电动汽车和混合动力汽车中作为关键组件。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 可再生能源系统,例如太阳能逆变器和风能发电系统中的功率调节单元。

替代型号

GA1206Y153MBXBT32G, IRF840, STP160N10F7

GA1206Y153MBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-