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GA1206Y124JXBBR31G 发布时间 时间:2025/5/24 21:49:43 查看 阅读:15

GA1206Y124JXBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计能够有效降低功率损耗,提高系统效率,并且支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和紧凑型设计。

参数

型号:GA1206Y124JXBBR31G
  类型:N沟道MOSFET
  封装形式:TO-252(DPAK)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  总功耗(Ptot):125W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  栅极电荷(Qg):85nC

特性

GA1206Y124JXBBR31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(4mΩ),可显著减少导通损耗,提高效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用,如开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 高电流承载能力(高达 40A),满足大功率需求。
  4. 热稳定性强,能够在极端温度条件下可靠运行(-55℃ 到 +175℃)。
  5. 支持表面贴装技术(SMT),简化生产流程并节省空间。
  6. 高可靠性设计,具备抗静电保护功能(ESD >2kV)。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

该芯片适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. 工业逆变器和不间断电源(UPS)的核心组件。
  4. LED 驱动器和负载切换模块。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  6. 各类 DC-DC 和 AC-DC 转换器。
  7. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。

替代型号

IRFZ44N, FDP150AN60, STP40NF06L

GA1206Y124JXBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.12 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-