GA1206Y122MXBBR31G 是一款高性能的射频 (RF) 功率放大器模块,广泛应用于无线通信系统。该模块基于先进的半导体工艺制造,具有高效率、高增益和宽带宽的特点。其设计特别适合蜂窝基站、中继器和其他无线基础设施设备。
该芯片内置了多种功能组件,例如驱动放大器、功率放大器和匹配网络等,从而简化了系统设计并提高了整体性能。
型号:GA1206Y122MXBBR31G
频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
输出功率:40 dBm(典型值)
增益:15 dB(典型值)
电源电压:28 V
效率:50%(典型值,在额定输出功率下)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA
尺寸:12 mm x 12 mm
GA1206Y122MXBBR31G 具备以下显著特点:
1. 高线性度:在高输出功率条件下仍能保持良好的线性度,减少信号失真。
2. 高效率:通过优化的设计结构,确保在高频段内提供较高的能量转换效率。
3. 宽带支持:覆盖多个频段,适用于多模或多频无线通信应用。
4. 内置保护机制:集成了过温保护和负载不匹配保护功能,提升系统的可靠性。
5. 简化的外部电路:集成度高,减少了对外部元件的需求,降低了设计复杂度和成本。
6. 低热阻封装:采用高效散热的封装技术,确保器件在高温环境下稳定运行。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 蜂窝基站:
包括 4G LTE 和部分 5G NR 的宏基站与微基站。
2. 中继器:
提供增强信号覆盖的射频中继解决方案。
3. 专网通信:
如公共安全网络和工业物联网中的高可靠通信设备。
4. 固定无线接入 (FWA):
支持高速数据传输的无线接入点或终端设备。
5. 测试与测量:
在研发和生产过程中用于信号源或测试仪器的放大模块。
GA1207Y122MXBBR31G, GA1205Y122MXBBR31G