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GA1206Y122MBCBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 23:34:35 查看 阅读:11

GA1206Y122MBCBR31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换和电源管理领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其设计旨在提高效率并减少功率损耗,适用于各种工业和消费类电子设备。
  该型号的命名规则通常包含对其封装形式、电气参数以及内部结构的信息编码,具体细节可能需要参考制造商的技术文档。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  总功耗:140W
  结温范围:-55°C to 175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206Y122MBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高电流处理能力,使其适用于大功率应用。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗,适合高频操作。
  4. 出色的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  这些特点使该 MOSFET 成为许多高要求应用的理想选择,例如电机驱动、DC-DC 转换器和逆变器等。

应用

GA1206Y122MBCBR31G 广泛用于以下应用场景:
  1. 工业电机控制和驱动电路。
  2. 高效 DC-DC 转换器和开关电源模块。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节。
  4. 汽车电子中的负载切换和电源管理。
  5. 大功率 LED 驱动器和固态照明。
  由于其卓越的性能和灵活性,这款 MOSFET 可以在多种高功率密度场合中发挥作用。

替代型号

IRFP2907, FDP18N65C6, STP120NF60

GA1206Y122MBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-