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GA1206A8R2DBEBT31G 发布时间 时间:2025/6/9 13:06:39 查看 阅读:26

GA1206A8R2DBEBT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 DDR4 SDRAM 类型。该型号专为需要高带宽和低功耗的应用场景设计,广泛应用于服务器、工作站以及高性能计算设备中。
  其主要特点是数据传输速率快、稳定性强,并且支持 ECC(Error Correction Code)功能以提升数据完整性。此外,该芯片还采用了先进的封装技术以提高散热性能和可靠性。

参数

类型:DDR4 SDRAM
  容量:8Gb
  组织方式:x8
  工作电压:1.2V
  数据速率:2666Mbps
  I/O 引脚数:78
  封装形式:FBGA
  ECC 支持:支持
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

GA1206A8R2DBEBT31G 提供了卓越的性能表现,尤其适合对数据吞吐量要求较高的应用环境。
  1. 高速数据传输:支持高达 2666Mbps 的数据速率,满足现代计算设备对速度的需求。
  2. ECC 功能:通过内置的纠错码机制显著降低数据错误率,增强系统的可靠性。
  3. 低功耗设计:采用 1.2V 工作电压,在保证性能的同时减少能耗。
  4. 稳定性:经过严格测试,确保在极端温度条件下仍能正常运行。
  5. 先进封装:使用 FBGA 封装工艺,提供更好的电气特性和散热能力。

应用

这款存储芯片适用于多种高端应用场景,包括但不限于:
  1. 企业级服务器:为数据中心提供强大的内存支持。
  2. 工作站:满足设计师、工程师等专业用户对高性能计算的需求。
  3. 高性能计算 (HPC):用于科学计算、人工智能训练等领域。
  4. 网络通信设备:如路由器、交换机等需要快速数据处理的硬件平台。
  5. 医疗影像设备:为医学成像系统提供稳定且高速的数据存储解决方案。

替代型号

GA1206A8R2DCEBT31G
  MT16AS1G72PZ-2G-EK
  K4B2G164Q-MCJ2

GA1206A8R2DBEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容8.2 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-