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GA1206A8R2CBLBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 23:30:13 查看 阅读:10

GA1206A8R2CBLBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合高频开关应用和高效能设计。
  该型号属于增强型 N 沟道功率 MOSFET,支持大电流和高压操作,适用于多种电子电路中的开关和调节功能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:75A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:95nC
  输入电容:2020pF
  总功耗:160W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升效率。
  2. 快速开关性能,能够适应高频应用需求。
  3. 高雪崩能力,确保在异常条件下的耐用性。
  4. 小型封装设计,节省 PCB 空间。
  5. 优异的热稳定性,保证长时间稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 新能源汽车电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
  5. LED 照明系统的恒流控制。
  6. 太阳能逆变器中的功率转换模块。

替代型号

IRF7845, FDP15N60, STP75NF06

GA1206A8R2CBLBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容8.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-