时间：2025/5/29 23:30:13
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GA1206A8R2CBLBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合高频开关应用和高效能设计。
该型号属于增强型 N 沟道功率 MOSFET，支持大电流和高压操作，适用于多种电子电路中的开关和调节功能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：75A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：2020pF
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提升效率。
2. 快速开关性能，能够适应高频应用需求。
3. 高雪崩能力，确保在异常条件下的耐用性。
4. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
5. 优异的热稳定性，保证长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 新能源汽车电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. LED 照明系统的恒流控制。
6. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
IRF7845, FDP15N60, STP75NF06
