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GA1206A8R2BBABR31G 发布时间 时间:2025/6/6 16:57:35 查看 阅读:4

GA1206A8R2BBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,从而提高了系统的效率并降低了功耗。
  这款功率MOSFET支持高频工作,适用于要求高效率和高可靠性的工业和消费电子应用。其封装形式经过优化设计,能够提供出色的散热性能和电气连接可靠性。

参数

型号:GA1206A8R2BBABR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大持续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):360W
  结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206A8R2BBABR31G具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关性能,有助于减少开关损耗,特别适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 支持高达175°C的工作结温,适用于严苛的高温环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  6. 稳定的电气特性和可靠的热管理设计,确保长时间运行的稳定性。
  这些特性使该器件成为高效功率转换和控制的理想选择。

应用

GA1206A8R2BBABR31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
  3. DC-DC转换器,用于实现电压调节和电能转换。
  4. 工业逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  5. 太阳能微型逆变器和电池管理系统(BMS)。
  6. 各类负载切换和保护电路。
  由于其优异的性能和可靠性,该芯片特别适合对效率和热性能有严格要求的应用场景。

替代型号

GA1206A8R2BBABR32G, IRF540N, FDP5500

GA1206A8R2BBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容8.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-