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GA1206A822GBABT31G 发布时间 时间:2025/5/29 19:23:29 查看 阅读:10

GA1206A822GBABT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于功率转换、电机驱动以及电源管理等场景。该器件采用先进的工艺技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合高频应用场合。其封装形式为 TO-252(DPAK),具备出色的散热性能。

参数

型号:GA1206A822GBABT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):82A
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值)
  总功耗(Ptot):95W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A822GBABT31G 的主要特点是低导通电阻和高效率,使其能够显著减少功率损耗并提升系统性能。
  1. 低 Rds(on) 值(2.2mΩ 典型值)确保在高电流应用中降低传导损耗。
  2. 快速开关能力使得该器件非常适合高频 PWM 应用。
  3. 提供强大的浪涌电流处理能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 封装采用 TO-252,提供良好的散热性能和机械稳定性。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),支持极端环境下的稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代工业需求。

应用

GA1206A822GBABT31G 广泛应用于需要高效功率转换和大电流承载能力的领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和控制电路。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
  4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
  5. 高效功率逆变器设计。
  6. 大功率 LED 驱动器和其他工业应用。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP80NF06L

GA1206A822GBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-