时间：2025/6/20 19:57:00
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GA1206A822FXBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，能够在高频工作条件下提供稳定的性能表现。
此型号属于增强型N沟道MOSFET，通过优化栅极电荷和输出电容参数，进一步提升了动态性能与系统效率。
最大漏源电压：80V
持续漏极电流：42A
导通电阻（典型值）：2.2mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
总栅极电荷：75nC
开关速度：非常快
封装形式：PQFN5*6
工作温度范围：-55℃~175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 优秀的热稳定性，即使在高电流密度下也能保持稳定运行。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 快速开关特性，适用于高频应用环境。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 内置ESD保护机制，提高产品可靠性。
7. 小型化封装，有助于减少PCB占用空间并简化散热设计。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 能量回收系统及太阳能逆变器中的功率转换模块。
GA1206A822FXBBR29G, IRF840, FDP5570N, STP10NK60Z
