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GA1206A821GXEBT31G 发布时间 时间:2025/6/4 8:32:56 查看 阅读:6

GA1206A821GXEBT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于无线通信系统中的射频信号放大。该芯片采用先进的半导体工艺制造,能够在高频条件下提供高增益和低失真的性能表现。它具有出色的线性度和效率,在现代通信设备中扮演着重要角色。
  这款芯片主要适用于蜂窝基站、点对点无线电以及无线数据传输等场景,能够满足苛刻的射频性能要求。

参数

型号:GA1206A821GXEBT31G
  工作频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
  输出功率:40 dBm(典型值)
  增益:15 dB(典型值)
  电源电压:28 V
  静态电流:200 mA(典型值)
  效率:45%(典型值)
  封装形式:LCC-32

特性

GA1206A821GXEBT31G 具备以下显著特点:
  1. 高输出功率和高增益,适合需要大动态范围的应用场景。
  2. 在整个工作频率范围内保持稳定的性能表现,适应多种通信标准。
  3. 内置匹配网络,简化了外部电路设计,减少了外围元件的数量。
  4. 提供高效的能量转换能力,有助于降低整体功耗并减少散热需求。
  5. 紧凑型封装设计,便于集成到空间受限的设备中。
  6. 良好的热稳定性和可靠性,确保长时间运行时的稳定性。

应用

该芯片广泛应用于各种无线通信领域,具体包括:
  1. 蜂窝基站发射机,用于增强信号覆盖范围。
  2. 点对点微波无线电设备,支持长距离的数据传输。
  3. 军事通信系统,提供可靠的射频放大功能。
  4. 测试测量仪器,用于模拟复杂的射频环境。
  5. 无线宽带接入系统,提升数据传输速率和质量。

替代型号

GA1206A821GXEBT32G, GA1207A821GXEBT31G

GA1206A821GXEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-