时间：2025/6/30 14:22:07
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GA1206A821GBCBR31G是一款高性能的MOSFET功率器件，属于沟道增强型场效应晶体管。该芯片主要用于电力电子设备中的开关和调节功能，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等优点。适用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制领域。
型号：GA1206A821GBCBR31G
封装形式：TO-247
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：0.5Ω
总功耗(Ptot)：190W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
存储温度范围：-55℃ to +175℃
GA1206A821GBCBR31G采用了先进的制造工艺，使其具备出色的电气性能。
1. 高耐压能力，能够承受高达1200V的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 具有较低的导通电阻（Rds(on)为0.5Ω），有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关特性，支持高频操作，从而满足现代电力电子设备对动态响应的需求。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下依然保持稳定的工作状态。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
该芯片广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
1. 开关电源(SMPS)的设计中作为主开关管使用。
2. 在太阳能逆变器中用于实现直流到交流的转换。
3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. 各类家电产品如空调、冰箱等的压缩机控制。
5. 电动汽车充电系统中的功率调节模块。
IRFP460,
FDP16N120,
STW14N120,
IXFN150N120T2
