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GA1206A820FXABP31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:54:10 查看 阅读:9

GA1206A820FXABP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该型号属于沟道型MOSFET器件,采用先进的制造工艺以确保高效率和低导通电阻,从而减少能量损耗并提升系统性能。
  此芯片适用于需要高频切换和低功耗的应用场景,如DC-DC转换器、逆变器、电池管理系统(BMS)等。通过优化栅极电荷与导通电阻之间的平衡,GA1206A820FXABP31G 提供了卓越的动态特性和静态特性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):82A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):70nC (典型值)
  总电容(Ciss):4200pF (典型值)
  工作温度范围:-55°C to +175°C

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),能够有效降低导通损耗。
  2. 高峰值电流处理能力,满足大功率应用需求。
  3. 优化的栅极电荷设计,提高开关速度并减少开关损耗。
  4. 强大的热稳定性,适合高温环境下运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 良好的抗静电能力(ESD),确保在生产和使用中的安全性。

应用

1. DC-DC转换器和降压升压模块中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 汽车电子系统中的电源管理和保护电路。
  5. UPS不间断电源和太阳能逆变器的核心组件。
  6. 各类高效能开关模式电源(SMPS)解决方案。

替代型号

GA1206A820FXABP32G, IRF840, STP80NF06

GA1206A820FXABP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容82 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-