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GA1206A820FBABR31G 发布时间 时间:2025/6/17 2:54:37 查看 阅读:2

GA1206A820FBABR31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于无线通信领域中的射频信号放大。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、低噪声和高线性度的特点,能够在较宽的频率范围内提供稳定的性能表现。此型号通常用于蜂窝基站、Wi-Fi设备以及其他射频通信系统中。

参数

工作频率:900 MHz - 2.7 GHz
  增益:20 dB
  输出功率:35 dBm
  供电电压:4.8 V
  静态电流:300 mA
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1206A820FBABR31G 芯片采用了优化设计,确保其在高频段下具备卓越的性能。
  1. 高效率:通过改进内部电路架构,芯片在高输出功率时仍能保持较高的能量转换效率。
  2. 稳定性强:即使在温度变化或负载波动的情况下,芯片也能维持恒定的增益和线性度。
  3. 低失真:芯片内置补偿网络,有效降低了非线性失真,从而提升了整体信号质量。
  4. 易于集成:紧凑的 BGA 封装使得它非常适合用于空间受限的设计环境,同时简化了 PCB 布局过程。
  5. 宽带支持:适用于多种通信标准,包括 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等。

应用

该芯片主要应用于需要高效射频放大的场景,具体包括:
  1. 蜂窝基站收发信机中的功率放大模块。
  2. Wi-Fi 接入点和路由器以增强覆盖范围。
  3. 移动终端设备如智能手机和平板电脑中的信号增强功能。
  4. 专用无线通信系统,例如工业物联网 (IIoT) 和远程监控设备。
  5. 卫星通信地面站的前端信号处理部分。

替代型号

GA1206A820FBABR29G, GA1206A820FBABR30G

GA1206A820FBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容82 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-