时间：2025/6/19 9:29:25
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GA1206A6R8DBCBR31G 是一款由 GeneSiC 半导体生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块。该模块采用先进的 SiC 技术，具有高效率、高开关频率和出色的热性能，适用于工业、汽车及可再生能源领域的高功率应用。其封装形式为 DBC（Direct Bonded Copper）基板，并集成了反并联二极管以优化系统性能。
这款器件的高耐压特性和低导通电阻使其非常适合需要高效能量转换的应用场景，例如电动汽车驱动器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动等。
额定电压：1200V
额定电流：60A
导通电阻：8mΩ
最大结温：175°C
开关频率：高达 100kHz
封装类型：DBC
GA1206A6R8DBCBR31G 的主要特性包括：
1. 高效的 SiC MOSFET 技术，提供低导通损耗和开关损耗。
2. 内置碳化硅肖特基二极管，支持快速恢复和低反向恢复电荷。
3. 耐高温设计，最高结温可达 175°C，适应严苛工作环境。
4. 小尺寸封装与高功率密度相结合，减少系统整体体积。
5. 优异的热管理能力，得益于 DBC 基板技术。
6. 提供高可靠性，在高频切换条件下表现稳定。
这些特点使得 GA1206A6R8DBCBR31G 成为高功率密度和高效率应用的理想选择。
该功率模块广泛应用于以下领域：
1. 电动汽车（EV）牵引逆变器。
2. 工业电机驱动系统。
3. 太阳能光伏逆变器。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 充电站和储能解决方案。
由于其卓越的性能，GA1206A6R8DBCBR31G 特别适合要求高效率、高可靠性和紧凑设计的应用场合。
GA1206A6R0DBCBR31G
CM0065B12ZPBF
