时间：2025/6/30 17:58:23
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GA1206A6R8CXLBC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能。它支持高频开关操作，能够显著降低功率损耗并提高系统整体效率。
型号：GA1206A6R8CXLBC31G
类型：N-Channel MOSFET
额定电压(Vds)：60V
额定电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ
栅极电荷(Qg)：40nC
最大功耗(Ptot)：200W
工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
GA1206A6R8CXLBC31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (6.5mΩ)，可有效减少传导损耗。
2. 高额定电流 (120A)，适合大功率应用。
3. 良好的开关性能，适用于高频场合。
4. 小型化的 TO-247-3 封装设计，便于安装且具有良好的散热性能。
5. 支持宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺生产。
该器件适用于以下典型应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机控制与驱动电路。
3. 太阳能逆变器及 UPS 系统。
4. 电动车驱动器及电池管理系统。
5. 各类工业自动化设备中的功率模块。
6. 高效节能的负载切换应用。
IRFP2907, FDP18N6S, STP120N06DM2
