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GA1206A682JXBBR31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:52:59 查看 阅读:9

GA1206A682JXBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  这款功率MOSFET支持高电流负载,并且具备出色的热性能,使其在各种严苛的工作条件下仍能保持可靠运行。同时,它还集成了多种保护功能,例如过流保护和过温保护,以增强系统的安全性和耐用性。

参数

类型:功率MOSFET
  封装:TO-247
  VDS(漏源极电压):650V
  RDS(on)(导通电阻):45mΩ
  ID(持续漏极电流):12A
  Qg(栅极电荷):45nC
  fT(截止频率):2.5MHz
  功耗:225W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206A682JXBBR31G的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,减少了开关损耗,适用于高频应用。
  3. 高漏源极电压(VDS)支持宽输入电压范围,适合高压环境。
  4. 良好的热性能,确保芯片在高功率输出时仍然保持稳定。
  5. 内置过流和过温保护功能,增强了系统的可靠性和安全性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  7. 支持表面贴装和通孔安装,便于不同应用场景下的使用。

应用

GA1206A682JXBBR31G适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率转换。
  2. 工业设备中的电机驱动控制。
  3. DC-DC转换器及逆变器电路。
  4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关产品。
  5. 各种需要高效率、高可靠性功率管理的场合。
  6. 汽车电子系统中的负载开关和电池保护。
  7. UPS不间断电源中的关键功率元件。

替代型号

GA1206A682JXBBR31H, IRF840, STP12NM65, FDP12N65E

GA1206A682JXBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-