GA1206A681JBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率电源管理、电机驱动和工业控制领域。该芯片采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,适用于各种需要高效能转换的应用场景,例如 DC-DC 转换器、逆变器、负载开关以及电池管理系统等。
类型:MOSFET
极性:N-Channel
漏源电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):68A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
栅极电荷(Qg):47nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
GA1206A681JBLBT31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 1.5mΩ,可有效减少导通损耗。
2. 快速开关能力,栅极电荷低至 47nC,支持高频应用。
3. 高额定电流(68A)与耐压能力(60V),适用于大功率系统。
4. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +175℃),确保在恶劣环境下的稳定性能。
5. 具备优异的热特性和电气稳定性,适合长时间运行的设备。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主开关管或同步整流管。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和电机控制器。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 通信基础设施中的负载开关和保护电路。
IRF7845, FDP5502, STP60NF06L