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GA1206A681JBLBT31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:51:47 查看 阅读:9

GA1206A681JBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率电源管理、电机驱动和工业控制领域。该芯片采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
  该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,适用于各种需要高效能转换的应用场景,例如 DC-DC 转换器、逆变器、负载开关以及电池管理系统等。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):68A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷(Qg):47nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A681JBLBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 1.5mΩ,可有效减少导通损耗。
  2. 快速开关能力,栅极电荷低至 47nC,支持高频应用。
  3. 高额定电流(68A)与耐压能力(60V),适用于大功率系统。
  4. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +175℃),确保在恶劣环境下的稳定性能。
  5. 具备优异的热特性和电气稳定性,适合长时间运行的设备。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  3. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
  4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和电机控制器。
  5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 通信基础设施中的负载开关和保护电路。

替代型号

IRF7845, FDP5502, STP60NF06L

GA1206A681JBLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-