您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A681GBLBR31G

GA1206A681GBLBR31G 发布时间 时间:2025/6/30 14:26:52 查看 阅读:5

GA1206A681GBLBR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,属于沟道增强型场效应晶体管系列。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等领域。它通过优化设计,提供低导通电阻和快速开关速度,从而提高整体系统效率并降低功耗。
  这款MOSFET适合在高频率应用中使用,并具备出色的热性能,能够有效提升系统的稳定性和可靠性。

参数

型号:GA1206A681GBLBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  工作电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):49nC
  总功耗(Ptot):257W
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1206A681GBLBR31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著减少传导损耗,提高能效。
  2. 快速开关速度,适用于高频应用场合。
  3. 高击穿电压(Vds)和大电流承载能力(Id),确保其能够在高压和大电流环境下可靠运行。
  4. 稳定的热性能,有助于简化散热设计并延长使用寿命。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保,满足现代工业需求。
  这些特点使该器件非常适合用作高效功率转换中的关键组件,例如DC-DC转换器、逆变器及负载开关等应用。

应用

GA1206A681GBLBR31G主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器、充电器等。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
  4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)及DC-DC转换模块。
  5. 通信基站中的电源管理和信号调节电路。
  由于其卓越的电气特性和可靠性,这款MOSFET成为了众多功率电子设计中的理想选择。

替代型号

GA1206A681GBLBR28G, IRFZ44N, FDP5500

GA1206A681GBLBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-