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GA1206A5R6CXCBP31G 发布时间 时间:2025/6/30 13:49:02 查看 阅读:5

GA1206A5R6CXCBP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及通信设备中的功率放大应用。该器件采用先进的封装技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
  其内部结构设计优化了热管理和电气性能,适合需要高功率密度和高效能转换的应用场景。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:4.8mΩ
  栅极电荷:90nC
  开关频率:超过5MHz
  封装形式:CSP(芯片级封装)
  工作温度范围:-40℃至+150℃

特性

GA1206A5R6CXCBP31G 具有以下显著特性:
  1. 高效的氮化镓技术,可实现更低的开关损耗和导通损耗。
  2. 超低的导通电阻(4.8mΩ),有助于减少功率传输过程中的能量损失。
  3. 快速的开关速度支持高达5MHz以上的操作频率,从而允许更小的磁性元件使用,提高整体功率密度。
  4. 紧凑型CSP封装,减小了寄生电感和热阻,进一步提升高频性能。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种严苛环境下的应用需求。
  6. 内置保护机制,如过温保护和短路保护,提高了系统的可靠性和安全性。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 高频AC-DC和DC-DC转换器,例如服务器电源和电信基站电源。
  2. USB-PD快充适配器,利用高频和高效特点缩小体积并提升充电效率。
  3. 无线充电系统,特别是在对效率和尺寸要求较高的场景中。
  4. 工业自动化设备中的开关电源模块。
  5. 激光雷达和其他高性能电子系统的功率驱动部分。

替代型号

GAN061-650WSA
  GAN1002-650ESA
  IRG7711TPBF

GA1206A5R6CXCBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容5.6 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-