时间：2025/5/22 21:01:53
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GA1206A5R6CBBBR31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。该型号属于沟道型 MOSFET，具有低导通电阻、高效率和快速开关速度的特点，适合应用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域。
其封装形式为行业标准的 TO-247 或 DPAK 封装（具体以厂商提供为准），能够承受较高的电流和电压，同时具备出色的散热性能。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
漏源极耐压(Vds)：120V
连续漏极电流(Id)：65A
导通电阻(Rds(on))：5.6mΩ
栅极电荷(Qg)：80nC
功耗(Ptot)：210W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
GA1206A5R6CBBBR31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流和电压能力，使其适用于高压和大电流场景。
3. 快速的开关速度和低栅极电荷，有助于降低开关损耗。
4. 强大的散热设计，确保在高温环境下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
6. 提供卓越的 ESD 和雪崩保护功能，增强器件的耐用性。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 工业电机控制及驱动中的功率级组件。
3. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
4. 高效 DC-DC 转换器。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
6. 各类需要高效功率转换和开关的应用场景。
GA1206A5R6CBBBR30G
IRFP260N
FDP17N12Z
