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GA1206A562JBABT31G 发布时间 时间:2025/5/26 14:16:56 查看 阅读:13

GA1206A562JBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
  此型号中的部分字符可能代表封装类型、工作电压范围或特定的电气参数等级,例如导通电阻或最大电流能力。由于 GA 系列通常由专业制造商生产,其具体特性需要结合官方数据手册进行详细了解。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-263(假设值,具体需查证)
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大漏极电流(ID):56A
  导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ(典型值,在特定条件下)
  总功耗:27W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A562JBABT31G 的主要特点是低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。
  此外,它还具备快速开关能力,能够适应高频应用场景,同时保持较低的开关损耗。
  芯片的热性能经过优化设计,使其能够在高负载条件下稳定运行。
  其封装形式通常适合表面贴装技术(SMT),简化了生产流程并提高了可靠性。
  在电气保护方面,该器件可能内置了过温保护和短路保护功能,从而增强了系统的鲁棒性。

应用

该芯片广泛应用于工业和消费类电子产品中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 AC-DC 转换器
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 光伏逆变器
  6. LED 驱动电路
  由于其强大的电流处理能力和低导通电阻,该芯片非常适合要求高效能和高可靠性的场景。

替代型号

GA1206A562JBAT31G, IRF540N, FDP5500

GA1206A562JBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-