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GA1206A561JBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:08:33 查看 阅读:5

GA1206A561JBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  该型号属于沟道增强型MOSFET,能够提供高效的电力传输和良好的耐热能力。其封装形式为行业标准,便于设计和集成到各种电路中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关频率:高达1MHz
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA1206A561JBBBR31G具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻确保了在高电流应用中的高效能量转换。
  2. 高速开关能力使其非常适合高频电源转换应用。
  3. 强大的散热设计可支持长时间运行而不降低性能。
  4. 严格的电气参数控制,保证了产品的一致性和可靠性。
  5. 支持多种保护功能,如过流保护和短路保护,提高了系统的安全性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足全球市场的法规要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和AC-DC适配器。
  2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电机驱动系统。
  3. 工业自动化设备中的电源管理和控制模块。
  4. 高效DC-DC转换器,用于服务器、通信设备和消费电子产品。
  5. 负载开关和电池保护电路。
  6. 大功率LED驱动器以及各种工业级和消费级电子设备。

替代型号

GA1206A561JBBBR29G
  IRFZ44N
  FDP5800
  AON6808

GA1206A561JBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-