时间：2025/6/19 9:24:19
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GA1206A560GBEBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为高效率开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高电流处理能力，适合用于直流-直流转换器、电机驱动、负载开关等电力电子领域。
这款 MOSFET 属于沟道增强型器件，通过优化的栅极电荷和快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高系统整体效率。
型号：GA1206A560GBEBR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：78A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
栅极电荷（Qg）：49nC
总电容（Ciss）：3050pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
GA1206A560GBEBR31G 具有卓越的电气性能和可靠性，以下是其主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 1.5mΩ，显著降低了传导损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达 78A 的连续漏极电流，满足大功率应用场景需求。
3. 快速开关特性，得益于较小的栅极电荷（Qg = 49nC），可以减少开关损耗并提升工作效率。
4. 宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适用于严苛环境下的应用。
5. 高雪崩击穿能量耐受性，确保在异常条件下也能安全运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该器件广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电动工具和工业设备中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统的负载开关和保护电路。
4. 大功率 LED 驱动器和 DC-DC 转换器。
5. 各类电池管理系统（BMS）中的充放电控制模块。
由于其出色的性能，GA1206A560GBEBR31G 成为许多高功率密度设计的理想选择。
GA1206A560GBEBR31G-A, GA1206A560GBEBR31G-B
