时间：2025/6/30 19:49:41
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GA1206A4R7BBABR31G 是一款高性能的陶瓷电容器，属于 C0G (NP0) 类介质材料。该型号具有低 ESR（等效串联电阻）和高自谐振频率的特点，适用于高频滤波、耦合和去耦等场景。其采用多层陶瓷工艺制造，尺寸紧凑，适合高密度电路板设计。同时，由于 C0G 材料的温度特性非常稳定，该电容器在较宽的工作温度范围内能够保持优异的电气性能。
容量：4.7pF
额定电压：50V
容差：±0.2pF
介质材料：C0G (NP0)
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装类型：0402 英寸
端头材料：锡/银/铜合金
该型号使用 C0G 介质材料，具备出色的温度稳定性，容量变化小于 ±30ppm/℃。
它采用了多层陶瓷技术，因此拥有较高的体积效率，能够在有限的空间内提供稳定的电容值。
由于其低 ESR 和高自谐振频率特性，非常适合用于射频和微波电路中的信号滤波和匹配网络。
此外，该电容器具有极高的可靠性，符合 RoHS 标准，满足环保要求。
GA1206A4R7BBABR31G 广泛应用于高频电路中，例如无线通信设备、射频模块、GPS 接收器、蓝牙模块以及其他需要高性能电容器的电子系统。
它可用于电源去耦、信号滤波、振荡电路以及射频前端匹配网络等场景。
由于其小型化设计和稳定的电气性能，也特别适合于对空间和性能有严格要求的便携式电子产品。
KEMET C0402C4R7B5GACTU, TDK C4532X5R1H470J050AA, MURATA GRM033C80J4R7B
