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GA1206A471JBABT31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:11:06 查看 阅读:4

GA1206A471JBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其封装形式为 TO-252(DPAK),适用于表面贴装技术(SMT)。由于其出色的电气性能和可靠性,它广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:t_on=10ns, t_off=25ns
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1206A471JBABT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,从而提高整体系统效率。
  2. 快速开关速度,可实现高频操作,适合现代高频开关应用的需求。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 具备较低的栅极电荷,降低了驱动功耗,简化了驱动电路设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 采用 DPAK 封装,具备良好的散热性能和机械稳定性。

应用

该芯片适用于以下典型应用场景:
  1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动中的桥臂开关元件。
  4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
  5. 各类高效率功率转换模块,例如 LED 驱动器和光伏逆变器等。
  由于其高电流能力和快速开关特性,它特别适合需要大功率输出和高频率工作的场合。

替代型号

GA1206A471JBAT31G
  IRFZ44N
  FDP5800
  STP40NF06L

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GA1206A471JBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容470 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-