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GA1206A3R9DBCBT31G 发布时间 时间:2025/5/28 10:03:06 查看 阅读:7

GA1206A3R9DBCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并减少发热。

参数

型号:GA1206A3R9DBCBT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):3mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗(Ptot):150W
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A3R9DBCBT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提升效率。
  2. 高速开关性能,可有效减少开关损耗。
  3. 强大的过流能力,适用于高功率密度设计。
  4. 增强型热性能,确保在高温环境下的稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  6. 短路耐受能力强,提高了系统的安全性与稳定性。
  这些特点使 GA1206A3R9DBCBT31G 成为需要高效功率转换的应用的理想选择。

应用

GA1206A3R9DBCBT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. DC-DC 转换器,用于汽车电子、工业自动化设备中。
  3. 电机驱动,例如电动工具、家用电器中的无刷直流电机控制。
  4. 逆变器及 UPS 系统,提供高效的电能转换。
  5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关产品。
  其高电流承载能力和快速开关速度使其非常适合于需要高效率和大功率处理能力的设计场景。

替代型号

IRFP2907ZPBF, FDP16N60C

GA1206A3R9DBCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容3.9 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-