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GA1206A3R9DBCBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:09:56 查看 阅读:3

GA1206A3R9DBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的沟槽式结构设计,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  这款芯片主要面向需要高效能量转换和快速动态响应的应用场景,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器以及电池管理系统等。通过优化的封装技术和内部设计,它能够在高电流和高频工作条件下保持稳定性能。

参数

型号:GA1206A3R9DBCBR31G
  类型:N-Channel Power MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):78nC
  总开关损耗(Etot):14.5mJ
  工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247-3L

特性

GA1206A3R9DBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,适用于现代高效的功率转换设计。
  3. 强大的电流承载能力,确保在高负载情况下仍能维持稳定的性能。
  4. 宽泛的工作温度范围,使其适合各种恶劣环境下的应用。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强器件的可靠性与抗干扰能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片的主要应用场景包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS),用于笔记本电脑适配器、服务器电源等设备。
  2. DC-DC 转换器,特别是在需要高效能量转换的汽车电子系统中。
  3. 电机驱动中的电机控制。
  4. 电池管理系统 (BMS),用于电动汽车及储能系统的电池保护与均衡。
  5. 工业级逆变器和 UPS 系统,提供可靠的功率输出与保护功能。

替代型号

GA1206A3R9DBC, IRF3710, FDP5570N

GA1206A3R9DBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容3.9 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-