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GA1206A3R9BXLBP31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:57:56 查看 阅读:10

GA1206A3R9BXLBP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频和高功率应用设计。该型号采用了先进的封装技术,能够提供卓越的电气性能和散热能力。其主要应用场景包括开关电源、电机驱动、无线充电以及工业自动化等高要求领域。
  该器件通过优化内部结构,大幅降低了导通电阻和开关损耗,同时具备出色的热稳定性和可靠性。与传统的硅基MOSFET相比,它在高频工作条件下表现尤为突出。

参数

类型:功率晶体管
  材料:氮化镓 (GaN)
  额定电压:650 V
  额定电流:12 A
  导通电阻:3.9 mΩ
  栅极电荷:85 nC
  反向恢复时间:无(由于 GaN 技术特性)
  封装形式:LGA
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1206A3R9BXLBP31G 的核心优势在于其卓越的高频性能和低开关损耗。
  1. 使用氮化镓技术实现了更高的开关速度和更低的导通电阻,从而显著提高效率。
  2. 内部集成保护电路,增强了器件的鲁棒性,可有效防止过流和过温现象。
  3. 封装采用增强型散热设计,确保在高温环境下依然保持稳定的性能输出。
  4. 支持高密度功率转换,适合紧凑型设计需求。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

这款功率晶体管适用于多种高频、高功率场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 数据中心服务器电源模块。
  3. 工业设备中的电机驱动控制。
  4. 新能源汽车的车载充电器(OBC)及 DC-DC 变换器。
  5. 消费电子产品的快充适配器。
  6. 无线电力传输系统。
  7. 光伏逆变器以及其他可再生能源相关设备。

替代型号

GAN063-650WSA
  GAN10T650HP
  TP65H028WS

GA1206A3R9BXLBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容3.9 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-