 时间:2025/6/23 16:01:03
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                    GA1206A3R3DXCBC31G 是一款由日本知名半导体制造商 GA 提供的高性能肖特基二极管。该型号采用 DFN 封装,具有低正向压降、快速恢复时间和高效率等特性,非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及负载点 (POL) 应用中的整流和保护电路。
  该器件通过先进的工艺设计优化了导通损耗和热性能,同时其紧凑的封装形式使其成为空间受限应用的理想选择。
类型:肖特基二极管
  最大正向电流:6A
  最大反向电压:30V
  正向电压:0.35V(典型值,在 If=3A 时)
  反向漏电流:5uA(最大值,在 Vr=30V 和 Tj=25°C 时)
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装:DFN-3(1.8x1.4mm)
  热阻 (RthJ-A):55°C/W
GA1206A3R3DXCBC31G 的主要特点是低正向电压降和高效的能量转换能力,这有助于降低功耗并提高系统的整体效率。
  此外,它具备出色的热稳定性和抗浪涌能力,能够适应复杂的工作环境。由于采用了小型化的 DFN 封装,该器件在满足高性能要求的同时也显著节省了 PCB 空间。
  其快速恢复时间确保了在高频应用中的卓越表现,并且能够在高频开关条件下保持较低的开关损耗。
该型号广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统中,例如:
  - 开关电源 (SMPS) 中的同步整流
  - DC-DC 转换器中的续流二极管
  - 电池供电设备中的负载开关保护
  - 便携式电子设备中的逆向电流保护
  - 高效 LED 驱动电路中的整流功能
  凭借其高效率和小尺寸特点,这款肖特基二极管特别适合于需要高功率密度的设计场景。
GB1206A3R3DXCBC31G
  RA1206A3R3DXCBC31G
  GA1206A3R3DXCBC32G