您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A392KXBBT31G

GA1206A392KXBBT31G 发布时间 时间:2025/5/28 21:10:09 查看 阅读:13

GA1206A392KXBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和快速开关速度的特点,适合多种工业和消费类电子应用。

参数

型号:GA1206A392KXBBT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):39A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A392KXBBT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关性能,能够支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 强大的电流承载能力,适合大功率应用场景。
  4. 较宽的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 内置静电保护功能,提升器件的鲁棒性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特点使得 GA1206A392KXBBT31G 成为需要高效功率转换和高可靠性的应用的理想选择。

应用

这款功率 MOSFET 主要用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 电动车和混合动力汽车的电池管理系统。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
  其卓越的性能和可靠性使其成为许多关键功率转换任务的核心组件。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP36NF06L

GA1206A392KXBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-