GA1206A390FBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统的整体性能。
该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,支持高频开关操作,并且具备良好的热稳定性和可靠性,适用于多种工业及消费类电子设备。
类型:MOSFET
封装形式:TO-252(DPAK)
耐压值(Vdss):60V
导通电阻(Rds(on)):3.9mΩ
最大电流(Id):47A
栅极电荷(Qg):18nC
工作温度范围:-55℃至175℃
总功耗(Ptot):118W
GA1206A390FBCBR31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(3.9mΩ),可以有效减少传导损耗,提高效率。
2. 支持高达 47A 的连续电流能力,适用于大功率应用场景。
3. 高速开关性能,其栅极电荷仅为 18nC,可实现快速开关切换。
4. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +175℃),确保在极端环境下的可靠运行。
5. 封装采用 TO-252 (DPAK),便于安装和散热设计。
6. 具备出色的热稳定性,长期使用不会出现性能下降的情况。
GA1206A390FBCBR31G 广泛应用于以下几个领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. 电机驱动控制电路,例如无刷直流电机(BLDC)控制器。
3. DC-DC 转换器中作为主开关管或同步整流管。
4. 可再生能源系统,如太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率管理单元。
IRFZ44N
FDP5800
AUIRF540N
STP55NF06L