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GA1206A331JBABT31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:31:22 查看 阅读:7

GA1206A331JBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效能和稳定性。
  该型号属于沟道型 MOSFET 系列,具有出色的热性能和电气特性,适用于需要高效率和低损耗的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=19ns, toff=27ns
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

GA1206A331JBABT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用,同时降低开关损耗。
  3. 高电流处理能力,支持大功率负载需求。
  4. 出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠运行。
  5. 小巧的封装设计,节省电路板空间,便于布局和散热管理。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

此芯片广泛应用于各类电力电子设备中,具体包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):用于实现高效的电压转换和稳压功能。
  2. 电机驱动:为直流无刷电机或其他类型电机提供精确的电流控制。
  3. DC-DC 转换器:用于便携式设备或汽车电子中的电压调节。
  4. 逆变器:在太阳能发电系统或不间断电源 (UPS) 中作为核心功率元件。
  5. 电池管理系统 (BMS):用于保护电池组免受过流或短路损害。

替代型号

GA1206A331JBACT31G, IRF3205, FDP5500

GA1206A331JBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-