时间：2025/6/21 12:31:17
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GA1206A2R2DXCBC31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode HEMT）结构，具备出色的导通电阻和开关性能。其封装形式为表面贴装，适合自动化生产和紧凑型设计。
这款芯片广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电以及新能源领域中的逆变器等场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：45nC
开关频率：超过3MHz
结温范围：-40℃ 至 150℃
封装类型：DFN8
1. 高效的开关性能，能够显著降低能量损耗。
2. 极低的导通电阻，适用于高电流应用场景。
3. 支持高频工作，有助于减小无源元件体积，从而实现更紧凑的设计。
4. 内置ESD保护功能，提高了芯片在实际使用中的可靠性。
5. 具备快速的开关速度和较低的开关损耗，非常适合高频DC-DC转换器及谐振电路。
6. 热性能优越，能够在较高温度下稳定运行。
1. 高频DC-DC转换器
2. 开关电源（SMPS）
3. 无线充电模块
4. 电机驱动控制器
5. 新能源汽车中的OBC（车载充电器）和DC-DC变换器
6. 工业设备中的高效电源管理系统
GaN063-100WS, TPH2R006ANH
