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GA1206A272FXABT31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:23:18 查看 阅读:8

GA1206A272FXABT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高电流处理能力,广泛应用于各种电子设备中以实现高效能的电力传输与控制。
  这款芯片属于 N 沟道增强型场效应晶体管,适用于需要快速开关速度和低功耗的应用场景。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):50A
  栅极电荷(Qg):90nC
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1206A272FXABT31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了在大电流应用中的高效性能,减少了功率损耗。
  2. 快速开关速度降低了开关损耗,非常适合高频功率转换应用。
  3. 高额定电流能力使其能够胜任大功率负载的需求。
  4. 良好的热稳定性设计,能够在极端温度环境下可靠运行。
  5. 封装牢固耐用,便于安装和散热,适合工业级应用。
  6. 提供可靠的电气隔离,防止干扰并提高系统整体稳定性。

应用

该芯片被广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
  2. 电机驱动和逆变器模块。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
  4. 工业自动化设备中的功率控制单元。
  5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS)。
  6. 各类家电及消费电子产品的功率调节电路。

替代型号

GA1206A272FXABT30G, IRFZ44N, FDP55N06L

GA1206A272FXABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-