时间：2025/5/20 12:25:44
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GA1206A271GBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，从而能够显著提高效率并降低能耗。
其封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的散热性能和紧凑的设计，适合于空间受限的应用场景。
型号：GA1206A271GBABR31G
类型：N-Channel Power MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.7mΩ（典型值，VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：90A
Qg（栅极电荷）：45nC
fT（转换频率）：3.8MHz
VGS(th)（阈值电压）：2.2V（典型值）
结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻（RDS(on) 为 2.7mΩ），有助于减少传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高电流处理能力（ID 高达 90A），适用于大功率应用。
3. 快速开关性能，栅极电荷低至 45nC，可有效降低开关损耗。
4. 具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 小型化封装（TO-252/DPAK），简化 PCB 设计并节省空间。
6. 宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种恶劣环境。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统的负载切换和保护。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换。
6. 高效 DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
IRFZ44N
FDP5800
STP90NF06L
AOT280E
