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GA1206A222KBABR31G 发布时间 时间:2025/6/17 2:50:29 查看 阅读:21

GA1206A222KBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先进的半导体制造工艺设计。该元器件通常用于高效率、高频开关的应用场景中,例如电源管理模块、电机驱动和逆变器等。其优异的导通电阻和快速开关特性使其在功率转换领域表现卓越。
  该型号属于沟道型MOSFET系列,主要针对工业和汽车应用优化,具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:1200V
  额定电流:6A
  导通电阻:220mΩ
  栅极电荷:35nC
  最大功耗:80W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A222KBABR31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频操作,适用于开关电源和DC-DC转换器。
  3. 耐雪崩能力较强,能够在异常条件下保护电路。
  4. 热稳定性出色,能在高温环境下保持性能一致性。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅焊接兼容。
  6. 提供强大的电气隔离,确保安全运行。

应用

这款MOSFET适合多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 工业设备中的电机控制和驱动。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  4. 汽车电子中的负载切换和电池管理系统 (BMS)。
  5. 高压大电流条件下的固态继电器和功率调节器。

替代型号

GA1206A250KBABR31G, IRFP260N, STW92N12MD2

GA1206A222KBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-