时间：2025/6/16 18:48:54
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GA1206A220JBEBR31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，主要用于开关和功率转换应用。该型号由 GeneSiC Semiconductor 生产，采用碳化硅（SiC）技术，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特性。
这种 SiC MOSFET 适用于高频高效电源系统，例如电动汽车充电设备、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动和其他工业应用中需要高效率和可靠性的场合。
类型：MOSFET
材料：SiC（碳化硅）
额定电压：1200V
额定电流：6A
导通电阻（最大值）：220mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：980pF
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
GA1206A220JBEBR31G 具备以下显著特性：
1. 高击穿电压（1200V），使其能够在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（220mΩ），减少导通损耗，提升整体效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，从而减小无源元件尺寸，降低系统体积和成本。
4. 采用碳化硅材料，具备更高的热稳定性和更长的使用寿命。
5. 四引脚 TO-247 封装，提供独立的Kelvin源极连接以优化栅极驱动回路性能。
6. 耐受雪崩能量强，确保在异常条件下仍能正常工作。
7. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应各种极端环境。
该型号的 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器。
2. 太阳能微逆变器和光伏并网逆变器。
3. 工业电机驱动与控制。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 电动汽车车载充电器（OBC）和直流快充桩。
6. 高频谐振转换器和软开关拓扑设计。
7. 各类需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子设备。
GA1206A180JBEBR31G, GA1206A280JBEBR31G
