GA1206A1R8DXEBC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及通信电源等领域。
其封装形式为增强型 DFN 封装,能够提供出色的散热性能和电气稳定性。此外,该型号还具备较高的击穿电压,确保在高压环境下的可靠运行。
额定电压:650V
连续导通电流:14A
导通电阻:9.5mΩ
栅极电荷:45nC
反向恢复时间:无
开关频率:最高可达 5MHz
工作温度范围:-55°C>封装类型:DFN8
1. 采用氮化镓材料,显著提升功率密度和效率。
2. 极低的导通电阻,减少导通损耗。
3. 快速开关速度,支持 MHz 级工作频率。
4. 内置 ESD 保护电路,增强可靠性。
5. 高温稳定性,适用于严苛的工作环境。
6. 小型化封装设计,节省 PCB 占用面积。
7. 兼容传统硅 MOSFET 的驱动方式,便于设计迁移。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 服务器和通信设备电源
3. 高效 DC-DC 转换器
4. 消费类快充适配器
5. 无线充电发射端
6. 工业电机驱动系统
7. 光伏逆变器和储能系统
GAN064-650WSA
GAN1206A1R8DXE
GS665AD040-2L