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GA1206A1R8DXEBC31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:08:45 查看 阅读:3

GA1206A1R8DXEBC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及通信电源等领域。
  其封装形式为增强型 DFN 封装,能够提供出色的散热性能和电气稳定性。此外,该型号还具备较高的击穿电压,确保在高压环境下的可靠运行。

参数

额定电压:650V
  连续导通电流:14A
  导通电阻:9.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  反向恢复时间:无
  开关频率:最高可达 5MHz
  工作温度范围:-55°C>封装类型:DFN8

特性

1. 采用氮化镓材料,显著提升功率密度和效率。
  2. 极低的导通电阻,减少导通损耗。
  3. 快速开关速度,支持 MHz 级工作频率。
  4. 内置 ESD 保护电路,增强可靠性。
  5. 高温稳定性,适用于严苛的工作环境。
  6. 小型化封装设计,节省 PCB 占用面积。
  7. 兼容传统硅 MOSFET 的驱动方式,便于设计迁移。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 服务器和通信设备电源
  3. 高效 DC-DC 转换器
  4. 消费类快充适配器
  5. 无线充电发射端
  6. 工业电机驱动系统
  7. 光伏逆变器和储能系统

替代型号

GAN064-650WSA
  GAN1206A1R8DXE
  GS665AD040-2L

GA1206A1R8DXEBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-