时间：2025/6/3 22:08:45
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GA1206A1R8DXEBC31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及通信电源等领域。
其封装形式为增强型 DFN 封装，能够提供出色的散热性能和电气稳定性。此外，该型号还具备较高的击穿电压，确保在高压环境下的可靠运行。
额定电压：650V
连续导通电流：14A
导通电阻：9.5mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：无
开关频率：最高可达 5MHz
工作温度范围：-55°C>封装类型：DFN8
1. 采用氮化镓材料，显著提升功率密度和效率。
2. 极低的导通电阻，减少导通损耗。
3. 快速开关速度，支持 MHz 级工作频率。
4. 内置 ESD 保护电路，增强可靠性。
5. 高温稳定性，适用于严苛的工作环境。
6. 小型化封装设计，节省 PCB 占用面积。
7. 兼容传统硅 MOSFET 的驱动方式，便于设计迁移。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 服务器和通信设备电源
3. 高效 DC-DC 转换器
4. 消费类快充适配器
5. 无线充电发射端
6. 工业电机驱动系统
7. 光伏逆变器和储能系统
GAN064-650WSA
GAN1206A1R8DXE
GS665AD040-2L
